劉致為gaa | 大學教師學術專長資料庫

2022年1月20日 — 三星、台積電、Intel 已宣布在3 奈米技術節點(Samsung) 和2 奈米技術節點(TSMC、Intel 20A) 將採用閘極環繞式(Gate-All-Around, GAA) 的奈米片(nanosheet) ...

... GAA的效能(ION大，IOFF小，SS小)，在固定的ION下，減少footprint，降低VDD，以達到G及E的目標。接續奈米片後的技術節點，提出更先進元件的樹狀通道電晶體(TreeFET) ...

三星與台積電兩大晶圓代工巨頭先後宣布3奈米技術節點（Samsung）及2奈米技術節點（tsmc），電晶體結構將採用gate-all-around (GAA) 的nanosheet結構，這使得原本為半導體 ...

2021年7月29日 — ... (GAA) 的nanosheet結構，這使得原本為半導體明日之星的GAA技術，瞬間大放異彩，眾研究團隊及學者無不凝神注視其發展，劉教授的研究團隊在2007年開始研究GAA ...

2021年9月8日 — ... GAA 電晶體為未來技術節點之一大趨勢。劉教授研究團隊持續研究更高層數通道堆疊之GAA 電晶體，擁有更高的電流，才能提供半導體晶片更好的效能，進而使 ...

2021年7月29日 — 【臺大研究成果系列報導】劉致為教授90nm / 5nm / 2nm半導體技術節點及基礎物理之研究 數位化改變了人們的生活方式，現今生活中的科技裝置，大到汽車 ...

2023年2月10日 — 為了了解電晶體的技術發展與未來展望，我們一行人來到臺灣大學電機系二館，採訪電子工程學研究所的劉致為特聘教授。 ... GAA）進場了。顧名思義，環繞式閘 ...

劉致為在IC technology 深耕逾二十年，是臺大極少數以. 此為研究領域的教授，從2002年的90 nm做到現在1nm以下，. 在IC( 積體電路) 技術節點的突破貢獻卓著。他的研究內容具.

2023年4月13日 — 參考文獻：. [1] 電子元件的靈魂－先進電晶體技術與發展趨勢| 劉致為教授 [2] K.S. Lee., et al. “Inner Spacer Engineering to Improve Mechanical ...

2022年1月21日 — 目前台大劉致為教授及其研究團隊是國內業界之外，唯一能研發出多層通道堆疊之GAA 電晶體的頂尖研究團隊，並同時與專精檢測設備與技術的閎康科技進行產學 ...